图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NZT660/NZT660A |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 550mV @ 300mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 500mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 频率转换 | 75MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 4SOT-223 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 70@100mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|25@3A@2V |
| 最大工作频率 | 75(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 300@100mA@1A|550@300mA@3A V |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 75(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 75MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 550mV @ 300mA, 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | SOT-223-4 |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 500mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NZT660CT |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 零件号别名 | NZT660_NL |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 单位重量 | 0.006632 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 550 mV |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 3 A |
| 增益带宽产品fT | 75 MHz |
| 系列 | NZT660 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 3 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率 | 75 MHz |
| 功率耗散 | 2 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 70 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 3 A |
| 直流电流增益 | 70 |
| 最大直流集电极电流 | 3 A |
| 高度 | 1.7mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.25 V |
| 长度 | 6.7mm |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -550 mV |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 宽度 | 3.7mm |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm |
| 最小直流电流增益 | 100 |
| 最大集电极-基极电压 | -80 V |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 引脚数目 | 3 + Tab |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大工作频率 | 100 MHz |
| 宽度 | 3.56 mm |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 6.5 mm |
| 身高 | 1.6 mm |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
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